- Lanp enfrawouj ki ap dirije -

503FIRC-70L / 14I100-60A

700nm IR ki ap dirije ki disponib nan Shenzhen Pi bon ki ap dirije Opto-elektwonik co, Ltd. Longèdonn pik se 700nm, ang gade 60 degre ( ± 30 ° ), gwosè chip se 350um * 350um, pwodiksyon pouvwa mW @ 20mA ak kalite vòltaj pi devan 1.8V max. 2.3V @ 20 mA. Nou pake sa a ki ap dirije enfrawouj 700nm ak lantiy epoksidik mm klè. Kòm yon nan-twou ki ap dirije, gen gen kalite ang gade pou chwazi, si sa a ang 60 degre gade pa ka satisfè kondisyon ou, jis santi yo lib yo kontakte nou epi fè nou konnen rechèch ou an. Lè sa a, nou pral pwodwi li kòm aplikasyon ou an. Anplis de sa, pou 700nm dirije, gen tou gen kalite fason pake ki disponib nan pi bon faktori ki ap dirije, tankou nou ka chanje koulè a ​​nan lantiy la yo dwe tankou ble limyè oswa gwo twou san fon ble kòm aplikasyon w lan, si gwosè a 5mm yo twò gwo pou ou, nou ka fè li ak 3mm ect. Èske ou bezwen kèk 700nm ki ap dirije pou pwojè ou a? Kontakte nou pou plis detay ~

- Gwosè 5 mm Atravè-twou ki ap dirije -

* PIN kout la se katod *

* Sa yo 5mm nan-twou ki ap dirije yo disponib tou pou jòn ki ap dirije, Amber ki ap dirije, UV ki ap dirije ak lòt IR ki ap dirije ect *

- Atravè-twou ki ap dirije radyan -

* Koulè nan foto a te pran pa kamera, tanpri pran aktyèl koulè emèt kòm estanda.

- 700nm dirije XY -

- Paramèt elektrik -

Evalyasyon maksimòm absoli nan Ta = 25 ℃

Parameter	Symbol	Rating
Power Dissipation	Pd	200mw
Pulse Forward Current	IFP	300mA
Forward Current	IF	100mA
Reverse Voltage	VR	5V
Junction Temperature	Tj	115°C
Operating Tempertature	Topr	-40 - +80°C
Storage Tempertature	Tstg	-40 - +100°C
Soldering Temperature	Tsol	260°C
Electro-Static-Discharge(HBM)	ESD	3000v
Warranty	Time	5Years
Antistatic bag	Piece	1000Back
*Pulse Forward Current Condition:Duty 1% and Pulse Width=10us.
*Soldering Condition:Soldering condition must be completed with 3 seconds at 260°C

Karakteristik optik ak elektrik ( T c = 25 ℃ )

Parameter	Symbol	Min	Typ	Max	Unit	Test Condition
Forward Voltage	VF	1.7	1.8	2.4	V	IF=20mA
		1.9	2.1	2.5	V	IF=60mA
		2.0	2.2	2.6	V	IF=100mA
Luminous Flux	Φ		0.15		lm	IF=20mA
			0.35		lm	IF=60mA
			0.4		lm	IF=100mA
Luminous Power	PO	5		12	mw	IF=20mA
		20		35	mw	IF=60mA
		25		40	mw	IF=100mA
Radiant Intensity	Ee	50		60	mw/sr	IF=100mA
Peak Wavelength	λP	695	700	710	nm	IF=20mA
Half Width	Dl		17		nm	IF=20mA
Viewing Half Angle	2q1/2		±60		deg	IF=20mA
Reverse Current	IR			5	uA	VR=5V
*Luminous Intensity is measured by ZWL600.
*q1/2 is the off-axis angle at which the luminous intensity is half the axial luminous intensity.
*lD is derived from the CIE chromaticity diagram and represents the single wavelength which defines the color of the device.

* Yo nan lòd yo kenbe chak youn nan lavi ki dire lontan, faktori BestLED itilize segondè fil pi bon kalite pou anndan koneksyon sikwi

- Ki ap dirije anbalaj -

* Nou ka pake sa a ki ap dirije ak nenpòt ki kantite pakè ak tep oswa koube broch yo ki ap dirije kòm egzijans ou.

- Relate -

- Pwosesis Pwodiksyon -

- T hrough-twou IR dirije -